摘要
超光滑样品广泛应用于精密光学元件、半导体晶圆（Wafer）、微机电系统（MEMS）器件、钙钛矿功能薄膜等高端制造领域。样品在抛光、镀膜、转运制程中，易产生全域面形工艺畸变、纳米级微划痕、凹坑、颗粒残留等微观缺陷，会直接降低器件光学透射性能，削弱长期工作可靠性。
传统检测设备存在明显应用短板：接触式探针轮廓仪易划伤样品表层，原子力显微镜（AFM）视场范围有限，无法满足全域质量管控需求。白光干涉仪（WLI）依托低相干垂直扫描干涉（VSI）技术，可实现非接触、无损式三维形貌检测，是现在工业领域主流的高精度表征方案。
该设备垂直分辨率可达0.2 nm以内，符合ISO 25178三维面形评定标准。搭配大视场物镜与图像拼接技术，可完成整片晶圆、大口径光学基片的全覆盖扫描，可同步量化面形误差（Form Error）、三维算术平均粗糙度（Sa）、缺陷深度、缺陷分布密度等核心指标。基于检测数据可反向追溯工艺问题：周期性波纹畸变对应抛光压力不均、工装装夹偏差；线性微划痕源于磨料粒径异常、生产环境洁净度不达标；点状凹坑多由清洗残留颗粒侵蚀造成。
在超高光滑镜面（Ra≤0.3 nm）实测工况中，顺利获得配置中性密度滤光片抑制镜面强反射干扰，将环境振动等级控制至VC-C级，可使设备测量重复性提升60%以上。检测数据与AFM比对误差稳定控制在0.02 nm区间，可精准捕捉亚纳米级工艺波动，支撑抛光参数、溅射功率等工序的闭环优化，有效解决超光滑工件量产过程中缺陷漏检、畸变无法量化的行业痛点。
晶圆表面粗糙度专项分析（核心检测指标）
（图示为化学机械抛光（CMP）后实测数据，检测精度达6 pm（0.006 nm），完全满足晶圆超光滑表面（Ultra-Smooth Surface）检测标准，适配半导体高端芯片晶圆精密检测场景）
（图示为化学机械抛光（CMP）后实测数据，表面粗糙度（Surface Roughness, Ra）=0.96 nm，可精准表征晶圆抛光后表面光滑度，为抛光工艺优化（Polishing Process Optimization）给予数据支撑，有效提升晶圆表面加工质量）
（图示为晶圆背面表面粗糙度实测数据，Ra=0.9 μm，适配晶圆背面加工质量检测场景，保障晶圆背面金属化（Metallization）工艺稳定性，为后续晶圆键合（Bonding）工序给予可靠质量基础）
大视野3D白光干涉仪
大视野3D白光干涉仪依托核心创新技术，突破传统半导体检测设备局限，构建晶圆（Wafer）检测新范式。设备兼具纳米级（Nanoscale）检测精度与高效检测能力，可适配晶圆全流程检测需求，重塑半导体（Semiconductor）领域精密测量（Precision Measurement）核心标准，为半导体晶圆加工、封装全流程质量管控给予权威、精准的数据支撑。
核心优势：大视野+高精度，打破半导体检测行业壁垒
设备解决了传统检测设备的行业痛点：传统1倍以下物镜（Objective Lens）仅可单孔检测，需搭配两台设备才能分别完成大视野观测与高精度测量工作。本设备搭载全新0.6倍轻量化镜头，具备15 mm超大单幅视野（Single Frame Field of View），配套可兼容4组物镜的转塔鼻轮（Turret Nose Wheel）。单台设备可全覆盖大视野观测、高精度测量两类核心需求，适配晶圆及配套部件的复杂检测场景，无需频繁切换检测设备，显著提升量产检测效率（Inspection Efficiency）与数据准确度（Data Accuracy），高度适配半导体规模化量产检测工况。
晶圆相关实测应用图示及说明（半导体专属）
（图示为化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）研磨碟盘表面金刚石颗粒共面度（Coplanarity）分析：左侧为局部放大细节图，右侧为整体共面度分析图，直观体现设备大视野3D测量性能，助力研磨碟盘质量管控（Quality Control），保障晶圆整体抛光均匀性）
（图示为裸片晶圆（Bare Wafer）翘曲度（BOW）、弯曲度（WARP）等形变（Deformation）参数测量，可精准采集晶圆形变核心数据，保障晶圆加工与封装（Packaging）精度，规避芯片破损、虚焊等封装不良问题）
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